![IRFP4368PBF IRFP4368PBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d82260f1f21c5589a8e2d3017c98555f1f8dfce3/to-247ac.jpg)
IRFP4368PBF Infineon Technologies
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 403.6 грн |
43+ | 290.47 грн |
50+ | 280.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4368PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFP4368PBF за ціною від 280.04 грн до 582.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP4368PBF Код товару: 34958 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 350 A Rds(on), Ohm: 0,00146 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 19230/570 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFP4368PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |