![IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/5/9/3/21/47/410/smn_/manual/to-247ac.jpg)
IRFP4310ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4310ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFP4310ZPBF за ціною від 130.17 грн до 465.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
на замовлення 5909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRFP4310ZPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF Код товару: 40700 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-247 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |