IRFP4127PBFAKMA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
IRFP4127PBFAKMA1
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4127PBFAKMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFP4127PBFAKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP4127PBFAKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFP4127PBFAKMA1
товар відсутній
IRFP4127PBFAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFP4127PBFAKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4127_DataSheet_v01_01_EN-3363092.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній