![IRFP350PBF IRFP350PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/39/2/760470/vsh_/manual/sihg21n80ae-ge3.jpg)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP350PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP350PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.3 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFP350PBF за ціною від 120.47 грн до 300.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF Код товару: 75598 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |