IRFP250 Siliconix
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 75.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP250 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Аналог IRFP250 Siliconix
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
у наявності: 105 шт
57 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFP250
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFP250 |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
IRFP250 Код товару: 171437 |
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
IRFP250 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP250PBF |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : IXYS | MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp |
товар відсутній |
||
IRFP250 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs |
товар відсутній |