Інші пропозиції IRFP22N50APBF за ціною від 138.66 грн до 412.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP22N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP22N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP22N50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP22N50APBF |
IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFP22N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |