![IRFP150 IRFP150](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_IFEINFAIGW50N65F5XKSA1.jpg)
IRFP150 Harris Corporation
![HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
198+ | 106.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP150 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP150
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFP150` |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFP150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFP150 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFP150 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFP150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRFP150 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |