Продукція > ONSEMI > IRFNL210BTA-FP001
IRFNL210BTA-FP001

IRFNL210BTA-FP001 onsemi

IRFNL210B-D.PDF Виробник: onsemi
Description: IRFNL210 - POWER MOSFET, N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1520+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1520
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFNL210BTA-FP001 onsemi

Description: IRFNL210 - POWER MOSFET, N-CHANN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFNL210BTA-FP001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFNL210BTA-FP001 IRFNL210BTA-FP001 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild IRFNL210B-D.PDF IRFNL210B.pdf MOSFET 200V N-CHAN
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IRFNL210BTA-FP001 Виробник : FSC IRFNL210B-D.PDF IRFNL210B.pdf
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFNL210BTA-FP001 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRFNL210BTA-FP001 - IRFNL210BTA-FP001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFNL210BTA-FP001 IRFNL210BTA-FP001 Виробник : ON Semiconductor irfnl210b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1A 3-Pin TO-92L Ammo
товар відсутній
IRFNL210BTA-FP001 IRFNL210BTA-FP001 Виробник : onsemi IRFNL210B.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1A TO92L
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFNL210BTA_FP001 IRFNL210BTA_FP001 Виробник : Fairchild Semiconductor IRFNL210B.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
товар відсутній