![IRFM120ATF IRFM120ATF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4819/SOT223-3L.jpg)
IRFM120ATF onsemi
![irfm120a-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 21.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFM120ATF onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFM120ATF за ціною від 18.47 грн до 59.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFM120ATF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFM120ATF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 11840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFM120ATF Код товару: 129782 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFM120ATF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFM120ATF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFM120ATF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |