IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.95 грн |
| 5000+ | 22.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFL9110TRPBF-BE3 за ціною від 19.4 грн до 70.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 7803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V P-CH MOSFET (D-S) |
на замовлення 57895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25; Qg, нКл = 8,7 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: -1.1A Drain-source voltage: -100V Power dissipation: 3.1W Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -8.8A On-state resistance: 1.2Ω кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFL9110TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: -1.1A Drain-source voltage: -100V Power dissipation: 3.1W Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -8.8A On-state resistance: 1.2Ω |
товар відсутній |