![IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/8/7/6/365/vsh_/manual/91191-pt-medium.jpg)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9014TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Можливі заміни IRFL9014TRPBF Vishay
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFL9014 Код товару: 123235 |
Виробник : SILI |
![]() Корпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 |
у наявності: 36 шт
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
Інші пропозиції IRFL9014TRPBF за ціною від 16.44 грн до 73.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 67575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 9396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 68292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 20992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 23122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF Код товару: 31799 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,5 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|