IRFIZ34GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.52 грн |
50+ | 108.04 грн |
100+ | 98.72 грн |
500+ | 77.07 грн |
1000+ | 72.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ34GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIZ34GPBF за ціною від 85.88 грн до 230.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 60V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |