IRFIBE20GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.42 грн |
10+ | 109.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBE20GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIBE20GPBF за ціною від 81.62 грн до 153.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFIBE20GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 2174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFIBE20GPBF | Виробник : VISHAY |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IRFIBE20GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
||||||||||||
IRFIBE20GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
||||||||||||
IRFIBE20GPBF | Виробник : VISHAY | IRFIBE20GPBF THT N channel transistors |
товару немає в наявності |