IRFIBC20G Vishay


TO-220%20Fullpak_2.jpg Виробник: Vishay
N-MOSFET 600V 1.7A 30W IRFIBC20G Vishay TIRFIBC20g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIBC20G Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFIBC20G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFIBC20G IRFIBC20G Виробник : Vishay irfibc20g.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товар відсутній
IRFIBC20G IRFIBC20G Виробник : Vishay Siliconix TO-220%20Fullpak_2.jpg Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFIBC20G IRFIBC20G Виробник : Vishay / Siliconix TO-220%20Fullpak_2.jpg MOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC20GPBF
товар відсутній