Продукція > VISHAY > IRFIB7N50APBF
IRFIB7N50APBF

IRFIB7N50APBF Vishay


sihfib7n.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIB7N50APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFIB7N50APBF за ціною від 89.68 грн до 160.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : Vishay sihfib7n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+127.3 грн
25+ 107.5 грн
100+ 91.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : Vishay sihfib7n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+136.09 грн
106+ 114.92 грн
124+ 97.75 грн
Мінімальне замовлення: 89
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+139.94 грн
10+ 105.54 грн
100+ 103.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : Vishay Siliconix sihfib7n.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.27 грн
50+ 113.99 грн
100+ 97.7 грн
500+ 89.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfib7n.pdf MOSFETs 500V N-CH HEXFET
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+160.17 грн
25+ 134.64 грн
100+ 114.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF
Код товару: 47154
sihfib7n.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : Vishay sihfib7n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товар відсутній
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : VISHAY irfib7n50a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Виробник : VISHAY irfib7n50a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній