![IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/268dc75ea70f3dcd0918a65df00a6970e7ce8854/90180-pt-medium.jpg)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
165+ | 73.24 грн |
173+ | 69.96 грн |
250+ | 67.16 грн |
500+ | 62.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9640GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI9640GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.1 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRFI9640GPBF за ціною від 80.94 грн до 264.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.9A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.9A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |