на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 152.52 грн |
10+ | 125.28 грн |
100+ | 87.15 грн |
250+ | 80.13 грн |
500+ | 72.39 грн |
1000+ | 62.13 грн |
2000+ | 58.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9610GPBF Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI9610GPBF за ціною від 85.65 грн до 159.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI9610GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFI9610GPBF | Виробник : IR |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
IRFI9610GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -8A; 27W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFI9610GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -8A; 27W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |