Продукція > VISHAY > IRFI820GPBF
IRFI820GPBF

IRFI820GPBF Vishay


sihfi820.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 150
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI820GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFI820GPBF за ціною від 73.93 грн до 100.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay sihfi820.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfi820.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI820G
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.64 грн
1000+ 79.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay sihfi820.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+86.7 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.32 грн
10+ 83.6 грн
100+ 82 грн
500+ 73.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay sihfi820.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay sihfi820.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay sihfi820.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay sihfi820.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : VISHAY IRFI820G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfi820.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Виробник : VISHAY IRFI820G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності