![IRFI620GPBF IRFI620GPBF](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220FP-40.jpg)
IRFI620GPBF VISHAY
![VISH-S-A0013608727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 78.77 грн |
14+ | 59.51 грн |
100+ | 51.63 грн |
500+ | 47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI620GPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI620GPBF за ціною від 44.74 грн до 89.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
IRFI620GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFI620GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |