![IRFI530GPBF IRFI530GPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/54/24/22/vsh_/manual/90180-pt-medium.jpg)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 26.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI530GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI530GPBF за ціною від 54.93 грн до 139.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFI530GPBF Код товару: 163016 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI530GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |