![IRFI520GPBF IRFI520GPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/376/TO-220AB.jpg)
IRFI520GPBF Vishay Siliconix
![91143.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.96 грн |
50+ | 58.99 грн |
100+ | 48.53 грн |
500+ | 41.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI520GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI520GPBF за ціною від 47.76 грн до 81.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI520GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFI520GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
IRFI520GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFI520GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFI520GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.1A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRFI520GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.1A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |