IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 45.66 грн |
| 308+ | 39.82 грн |
| 500+ | 35.97 грн |
| 1000+ | 30.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції IRFHM8363TRPBF за ціною від 26.22 грн до 47.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFHM8363TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC |
товар відсутній |