IRFHM4234TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 286+ | 42.36 грн |
| 298+ | 40.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHM4234TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 20A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRFHM4234TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
на замовлення 4394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IRFHM4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 20A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|
|
|
IRFHM4234TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 20A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V |
товар відсутній |