IRFH8318TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 16.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8318TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
Інші пропозиції IRFH8318TRPBF за ціною від 16.32 грн до 62.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8318TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC |
на замовлення 5301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V |
на замовлення 15870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 428000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRFH8318TRPBF Транзистор Код товару: 196964 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFH8318TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |