IRFH8318TR2PBF

IRFH8318TR2PBF Infineon Technologies


infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8318TR2PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFH8318TR2PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH8318TR2PBF IRFH8318TR2PBF Виробник : Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
товар відсутній