IRFH8202TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.08 грн |
| 10+ | 133.85 грн |
| 100+ | 99.46 грн |
| 500+ | 87.47 грн |
| 1000+ | 82.53 грн |
| 2000+ | 80.41 грн |
| 4000+ | 54.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8202TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRFH8202TRPBF за ціною від 132.15 грн до 151.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8202TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFH8202TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 47 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFH8202TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
IRFH8202TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRFH8202TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
IRFH8202TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 47A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 47A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |