IRFH7932TR2PBF

IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies


infineon-irfh7932-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRFH7932TR2PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH7932TR2PBF IRFH7932TR2PBF Виробник : Infineon Technologies irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02 Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
товар відсутній
IRFH7932TR2PBF IRFH7932TR2PBF Виробник : Infineon Technologies irfh7932pbf-1169413.pdf MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC
товар відсутній