![IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/411de1002afc97c5b0d6108c84201596b21f882e/pqfn_5x6_a.jpg)
IRFH7914TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39+ | 15.47 грн |
40+ | 15.02 грн |
100+ | 14.41 грн |
250+ | 13.28 грн |
500+ | 12.68 грн |
1000+ | 12.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7914TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFH7914TRPBF за ціною від 14.15 грн до 47.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |