IRFH7545TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 38.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7545TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0043 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFH7545TRPBF за ціною від 28.44 грн до 93.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0043 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 10394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0043 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 8268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRFH7545TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |