![IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/49/140955/smn_/manual/pqfn_5x6_e.jpg_472149771.jpg)
IRFH7446TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 32.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7446TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFH7446TRPBF за ціною від 34.57 грн до 93.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1088000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V |
на замовлення 24460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 65nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 65nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |