IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 37.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFH7085TRPBF за ціною від 54.43 грн до 297.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
на замовлення 5803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFH7085TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |