IRFH6200TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 47.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH6200TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRFH6200TRPBF за ціною від 56.76 грн до 164.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V |
на замовлення 13962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC |
на замовлення 40589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 750 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm |
на замовлення 4114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
IRFH6200TRPBF Код товару: 150522 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRFH6200TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFH6200TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |