IRFH5301TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5301TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00155 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFH5301TRPBF за ціною від 24.57 грн до 83.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC |
на замовлення 5095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00155 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V |
на замовлення 10480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRFH5301TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: PQFN5X6 кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRFH5301TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: PQFN5X6 |
товар відсутній |