Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH5210TRPBF
IRFH5210TRPBF

IRFH5210TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45 грн
8000+ 43.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH5210TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm.

Інші пропозиції IRFH5210TRPBF за ціною від 41.47 грн до 130.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+48.54 грн
8000+ 46.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.16 грн
500+ 58 грн
1000+ 52.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 143
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+88.51 грн
150+ 80.66 грн
185+ 65.65 грн
200+ 59.23 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 46.61 грн
2000+ 43.5 грн
4000+ 42.38 грн
8000+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b0c461eb0 Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.82 грн
10+ 87.4 грн
100+ 67.98 грн
500+ 54.07 грн
1000+ 44.05 грн
2000+ 41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH5210_DataSheet_v01_01_EN-3363185.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.33 грн
10+ 90.56 грн
100+ 64.33 грн
500+ 55.68 грн
1000+ 45.37 грн
2000+ 42.72 грн
4000+ 42.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+130.56 грн
10+ 93.03 грн
100+ 72.16 грн
500+ 58 грн
1000+ 52.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5210pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh5210pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній