IRFH5020TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 55.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH5020TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFH5020TRPBF за ціною від 60.17 грн до 195.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5020TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.6W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V |
на замовлення 7266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC |
на замовлення 7706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH5020TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.1A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH5020TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.1A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |