IRFH3702TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 12.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH3702TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm.
Інші пропозиції IRFH3702TRPBF за ціною від 14.76 грн до 81.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH3702TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm |
на замовлення 11379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V |
на замовлення 10667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm |
на замовлення 11379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRFH3702TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 2.8W; PQFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 2.8W Case: PQFN3X3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH3702TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 2.8W; PQFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 2.8W Case: PQFN3X3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |