IRFD9120PBF
Код товару: 31845
Виробник: IRКорпус: HD-1
Uds,V: 100 V
Id,A: 1 А
Rds(on),Om: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
у наявності 7 шт:
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD9120PBF за ціною від 25.62 грн до 162.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD9120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -700mA Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -700mA Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 796 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs HVMDIP 100V 1A P-CH MOSFET |
на замовлення 7275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 36826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFD9120PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFD110PBF Код товару: 98653 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
84 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
P6A10 (P600M) Код товару: 44068 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: R-6
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 6 A
Опис: Випрямний
Може замінити: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: R-6
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 6 A
Опис: Випрямний
Може замінити: P6A05, P6A1, P6A2, P6A4, P6A6, P6A8, P600A, P600B, P600D, P600G, P600J, P600K, P600M
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 476 шт
322 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
118 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
118 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.8 грн |
IRLML0100TRPBF Код товару: 38413 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2678 шт
2291 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
106 шт - РАДІОМАГ-Львів
110 шт - РАДІОМАГ-Одеса
70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
106 шт - РАДІОМАГ-Львів
110 шт - РАДІОМАГ-Одеса
70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 7.5 грн |
10+ | 6.8 грн |
100+ | 6.2 грн |
1000+ | 5.5 грн |
UC3845BD1R2G Код товару: 31856 |
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 50 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 50 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
товар відсутній
LM311D Код товару: 24944 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: 3,5…30 V
Vio,mV(напр.зміщ.): 7,5 mV
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 1
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: 3,5…30 V
Vio,mV(напр.зміщ.): 7,5 mV
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 1
товар відсутній