IRFD9110PBF

IRFD9110PBF Vishay


dx8m7nt348ongfuowc.pdf
Код товару: 59118
Виробник: Vishay
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,7 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:

3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
1+33 грн
10+ 27.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFD9110PBF за ціною від 17.55 грн до 154.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 9107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.95 грн
3000+ 41.79 грн
4000+ 41.61 грн
5000+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+44.89 грн
3000+ 44.71 грн
4000+ 44.52 грн
5000+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 272
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+71.75 грн
10+ 63.01 грн
100+ 55.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+115.44 грн
10+ 51.68 грн
34+ 25.88 грн
92+ 24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfd911.pdf MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.86 грн
10+ 94.68 грн
100+ 62.03 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.53 грн
10+ 64.4 грн
34+ 31.05 грн
92+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.31 грн
10+ 101.91 грн
100+ 72.69 грн
500+ 54.26 грн
1000+ 45.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.31 грн
10+ 95.07 грн
100+ 64.52 грн
500+ 48.26 грн
1000+ 44.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності

З цим товаром купують

IRFD110PBF
Код товару: 98653
sihfd110.pdf
IRFD110PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
84 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+18 грн
10+ 16.2 грн
100+ 14.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
270 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-270R-Hitano)
Код товару: 50636
MOR_080911.pdf
270 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-270R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 270 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 250 шт
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
89 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
8+2.5 грн
10+ 2.2 грн
100+ 2 грн
1000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 8