IRFD9110PBF Vishay
Код товару: 59118
Виробник: VishayКорпус: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,7 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
10+ | 27.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD9110PBF за ціною від 17.55 грн до 154.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 9107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.49A |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.49A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRFD110PBF Код товару: 98653 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
84 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
270 Ohm 5% 3W вив. (MOR300SJTB-270R-Hitano) Код товару: 50636 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 270 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 3W
Номінал: 270 Ohm
Точність і ТКО: ±5%, ±250ppm
P ном., W: 3 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 250 шт
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
89 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
58 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
89 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 2.5 грн |
10+ | 2.2 грн |
100+ | 2 грн |
1000+ | 1.4 грн |