на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD9014PBF за ціною від 28.55 грн до 95.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -800mA On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -800mA On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9014PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 7153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9014PBF Код товару: 43657 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: HVMDIP Uds,V: 60 V Id,A: 1,1 A Rds(on),Om: 0,50 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
IRFD9014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |