![IRFD320PBF IRFD320PBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/14/96/00/00/0/26945_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=801c28b787f60c3ead2e20b14365c285c541eb5f)
IRFD320PBF VISHAY
![IRFD320PBF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.31A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 62.39 грн |
9+ | 44.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD320PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD320PBF за ціною від 40.67 грн до 143.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.31A; 1W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.31A Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFD320PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |