Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFD123PBF Vishay
IRFD123PBF

IRFD123PBF Vishay

sihfd123.pdf
Код товару: 26821
Виробник: Vishay
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,1 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності 21 шт:
21 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFD123PBF за ціною від 32.17 грн до 95.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD123PBF IRFD123PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.91 грн
10+ 52.57 грн
100+ 40.88 грн
500+ 32.52 грн
1000+ 32.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFD123PBF IRFD123PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfd123.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.12 грн
10+ 70.97 грн
100+ 51.45 грн
500+ 47.09 грн
1000+ 38.31 грн
2500+ 34.44 грн
5000+ 34.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD123PBF IRFD123PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFD123PBF IRFD123PBF Виробник : Vishay sihfd123.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRFD123PBF IRFD123PBF Виробник : Vishay sihfd123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRFD123PBF Виробник : VISHAY sihfd123.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFD123PBF Виробник : VISHAY sihfd123.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

S8550-H
Код товару: 160618		 s8550-l_thru_s8550-h-sot23.pdf
S8550-H
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 150 MHz
Uке, В: 25 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 350
у наявності: 1449 шт
776 шт - склад
167 шт - РАДІОМАГ-Київ
96 шт - РАДІОМАГ-Львів
116 шт - РАДІОМАГ-Одеса
294 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
10+2 грн
16+ 1.3 грн
100+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
MMBT4401
Код товару: 160584		 mmbt4401-sot23.pdf
MMBT4401
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 250 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 1103 шт
600 шт - склад
210 шт - РАДІОМАГ-Київ
97 шт - РАДІОМАГ-Львів
196 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
14+1.5 грн
23+ 0.9 грн
100+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
L7815CV
Код товару: 47986		 l7815cv-datasheet.pdf
L7815CV
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 15 V
Iout,A: 1,5 A
Тип виходу: Фіксований
у наявності: 473 шт
339 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Одеса
83 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+10 грн
10+ 9 грн
100+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 2
LM393DR2G
Код товару: 44810		 description lm393-d.pdf
LM393DR2G
Виробник: ON
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: SO-8
Функц.опис: Analog Comparators 2-36V Dual
Udss,V: 2...36 V
Id,A: 0,016 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 725 шт
669 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
4+5.5 грн
10+ 5 грн
100+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BZX84-C24
Код товару: 35492		 BZX84.pdf
BZX84-C24
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 24 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 20.4mV/K
у наявності: 554 шт
395 шт - РАДІОМАГ-Київ
69 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна без ПДВ
10+2 грн
16+ 1.3 грн
100+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 10