Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)

IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)

sihfd120-datasheet.pdf
Код товару: 148947
Виробник: Vishay
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності 15 шт:
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+24.5 грн
10+ 22.1 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Аналог IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Vishay

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Код товару: 156294 		Виробник : Vishay irfd120pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
3 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 18 грн
100+ 16.2 грн

Інші пропозиції IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) за ціною від 16.2 грн до 83.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix)
Код товару: 156294 		Виробник : Vishay irfd120pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
3 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 18 грн
100+ 16.2 грн
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : VISHAY IRFD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.55 грн
38+ 23.14 грн
103+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+57.91 грн
224+ 54.57 грн
225+ 54.16 грн
230+ 51.16 грн
2300+ 47.19 грн
Мінімальне замовлення: 211
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : VISHAY IRFD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.06 грн
38+ 28.84 грн
103+ 26.26 грн
2500+ 26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
170+71.82 грн
214+ 56.89 грн
500+ 49.64 грн
1000+ 43.21 грн
Мінімальне замовлення: 170
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+80.81 грн
10+ 66.69 грн
100+ 52.83 грн
500+ 44.45 грн
1000+ 37.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+83.6 грн
11+ 73.09 грн
100+ 60.59 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFD120PBF (DIP4-300, IR) IRFD120PBF (DIP4-300, IR)
Код товару: 28377 		Виробник : IR Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна без ПДВ
1+25 грн
10+ 22.5 грн
100+ 19.9 грн
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
IRFD120PBF Виробник : Vishay sihfd120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
IRFD120PBF IRFD120PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності