Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBG30PBF Siliconix
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Код товару: 29889
Виробник: Siliconix
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності 6 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 50 шт:
50 шт - очікується 20.07.2024
Кількість Ціна без ПДВ
2+46 грн
10+ 41.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBG30PBF за ціною від 47.91 грн до 187.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.71 грн
17+ 50.82 грн
46+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.5 грн
5+ 76.89 грн
17+ 60.98 грн
46+ 57.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+103.28 грн
1300+ 94.37 грн
2600+ 87.81 грн
3900+ 79.85 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+103.28 грн
300+ 94.37 грн
600+ 87.81 грн
900+ 79.85 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+147.05 грн
10+ 118.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+158.02 грн
10+ 124.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs 1000V N-CH HEXFET
на замовлення 7376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.37 грн
10+ 125.83 грн
100+ 97.57 грн
250+ 94.78 грн
500+ 87.81 грн
1000+ 75.27 грн
2000+ 71.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.64 грн
50+ 134.07 грн
100+ 110.3 грн
500+ 87.59 грн
1000+ 74.32 грн
2000+ 70.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+187.63 грн
10+ 129.78 грн
100+ 101.63 грн
500+ 84.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній

З цим товаром купують

UC3845BN
Код товару: 4328		 CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 170 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+20 грн
10+ 18 грн
100+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
UC3842BN
Код товару: 17968		 description UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3842BN
Виробник: ST/UTC
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 11...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 292 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
US1M
Код товару: 30533		 US1A-M.pdf
US1M
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
товар відсутній
KLS6-MF72-5D9
Код товару: 151396		 kls6-mf72-datasheet.pdf
KLS6-MF72-5D9
Виробник: KLS
Пасивні компоненти > Термістори
Опис: NTC термістор, 5 Ohm, 3A, D = 9mm
Опір: 5 Ohm
Застосування: Запобіжні
Струм,макс.: 3A
Тип: NTC
Розмір: D=9 mm
у наявності: 1542 шт
Кількість Ціна без ПДВ
17+3 грн
22+ 2.3 грн
100+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 17
STP4NK60ZFP
Код товару: 3364		 description STP4NK60ZFP_.pdf
STP4NK60ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 466 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+16.5 грн
10+ 14.9 грн
100+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 4