Продукція > VISHAY > IRFBG20PBF
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF Vishay

sihbg20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 40.48 грн до 128.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : VISHAY IRFBG20PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.86A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.31 грн
10+ 49.68 грн
20+ 44.54 грн
50+ 44.39 грн
53+ 42.08 грн
250+ 40.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
186+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 186
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : VISHAY IRFBG20PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.86A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.68 грн
10+ 59.61 грн
20+ 53.44 грн
50+ 53.27 грн
53+ 50.49 грн
250+ 48.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.45 грн
10+ 65.62 грн
100+ 64.28 грн
500+ 53.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
164+73.71 грн
171+ 70.67 грн
175+ 69.22 грн
500+ 58.01 грн
Мінімальне замовлення: 164
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.99 грн
10+ 71.65 грн
100+ 69.1 грн
500+ 48.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihbg20.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBF20PBF
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.14 грн
10+ 87.94 грн
100+ 75.78 грн
500+ 71.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihbg20.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.83 грн
50+ 94.36 грн
100+ 77.65 грн
500+ 61.65 грн
1000+ 52.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 15131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+128.68 грн
10+ 94.37 грн
100+ 88.13 грн
500+ 78.21 грн
1000+ 70.86 грн
5000+ 69.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=1000V; Id=1,4A; Pd=54W; Rds=11 Ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.8 грн
10+ 101.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBG20PBF sihbg20.pdf IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFBG20PBF Виробник : Vishay/IR sihbg20.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній