![IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A8/2E/00/00/0/57994_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=55549db1bb3cf69cf46f82fe25a56068d587bde5)
IRFBC40ASPBF VISHAY
![sihfbc40.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 90.74 грн |
10+ | 80.58 грн |
12+ | 74.05 грн |
32+ | 69.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC40ASPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC40ASPBF за ціною від 74.76 грн до 329.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC40ASPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |