![IRFBC30PBF IRFBC30PBF](/img/to-220ab-im.png)
IRFBC30PBF Vishay
![irfbc30pbf-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 133046
Виробник: VishayUds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
Монтаж: THT
у наявності 21 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 21 грн |
10+ | 19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFBC30PBF за ціною від 33.39 грн до 99.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.3A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.3A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFBC30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 17093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRFBC30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
LM324N Код товару: 162910 |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW,MHz: 1,2 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 1 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 4
у наявності: 488 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.7 грн |
330 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-07330KL-Yageo) (резистор SMD) Код товару: 1749 |
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 330 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 330 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 1614 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-510R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1735 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 510 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 510 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 19650 шт
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
10uF 100V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR100M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 1533 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4437 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
32+ | 1.6 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 1.1 грн |
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 1300 шт
очікується:
40000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |