на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 227.96 грн |
10+ | 187.39 грн |
100+ | 129.09 грн |
250+ | 119.21 грн |
500+ | 107.92 грн |
1000+ | 85.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC30PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC30PBF-BE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRFBC30PBF-BE3 | Виробник : Vishay | Power MOSFET |
товар відсутній |
||
IRFBC30PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
товар відсутній |