![IRFBC30APBF IRFBC30APBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3215c2911378af0e57bdb29c089e8ea6761fff16/vs-40ctq150-m3.jpg)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
320+ | 37.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC30APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRFBC30APBF за ціною від 34.98 грн до 142.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBC30APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFBC30APBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFBC30APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFBC30APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFBC30APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IRFBC30APBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
IRFBC30APBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IRFBC30APBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |