IRFB9N65A Vishay
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB9N65A Vishay
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB9N65A за ціною від 55.1 грн до 55.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB9N65A | Виробник : International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRFB9N65A Код товару: 191888 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||
![]() |
IRFB9N65A | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||
|
IRFB9N65A | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRFB9N65A | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |