IRFB7446PBF Infineon Technologies
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7446PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 99W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB7446PBF за ціною від 31.62 грн до 115.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7446PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 123A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Gate charge: 62nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 123A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Gate charge: 62nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB7446PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRFB7446PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
IRFB7446PBF Код товару: 164381 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|